【新一代護國神山】
時間:2021/3/25(四)
貼文:NO.1215篇
大家早,我是 LEO
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第一代半導體材料矽 Si
第二代半導體材料砷化鎵 GaAs
第三代半導體材料碳化矽 SiC、氮化鎵 GaN
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為什麼要一直進步?換新材料
因為新的產業趨勢推動新材料需求
未來5到~10年電動車產業大爆發
第三代半導體材料必定發光發熱
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●從中國在 2020年發佈的「145計畫」(第14個5年規畫),也將第三代半導體納入,預計將投資10兆台幣,顯見未來這個領域的競爭提升到國與國的競爭,進入白熱化階段。
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●各國🈲售汽柴油車時間表
2025年--挪威、荷蘭
2030年--德國、印度
2040年--英國、法國、台灣
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更狠的是挪威、荷蘭在2030年就禁止氣柴油車的路權,換句話說,不開電動車你就走路吧~2025年只剩4年,2030年只剩9年,汽車產業正在重新洗牌,【車用半導體】的需求只會越來越大,很多新公司會走出長多格局!成為半導體界的超新星!
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【碳化矽、氮化鎵】
新材料符合〈尺寸小、效率高、散熱迅速〉特性,只有第三代半導體材料氮化鎵可滿足高頻、低雜訊、高功率、耐高壓及低耗電需求,所以成為5G基地台的主要材料。在快充領域以及電動車充電樁...都是關鍵材料。
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【國際大廠】
科銳Cree、英飛凌Infineon、羅姆ROHM
都已經進入量產碳化矽階段
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【台灣】
雖然台積電這座護國神山股價表現有點黯淡,但是在第三代半導體的佈局,正在鴨子划水積極運作。
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台積電子公司《世界先進》,在氮化鎵與碳化矽領域代工生產,已布局4年預計今年進入量產,集團旗下《精材》,也投入氮化鎵射頻功率放大器的商機,今年也將進入量產階段。
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還有一家神秘的公司在第三代半導體業務上,最近已獲得台積電認證為「氮化鎵快充」製程外包廠。這個以後我們再說!目前正在佈局中。
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《漢磊》(3707)在碳化矽、氮化鎵領域,著墨最深、最早的關鍵大廠,至今已經10年。漢磊的 650伏特高壓氮化鎵已通過電動車的車用標準認證,並且開始導入,漢磊晶圓代工,據了解氮化鎵良率已達9成以上。
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漢磊在車用半導體的領域上,已經供不應求,領先的技術讓英飛凌三不五時就跑來看工廠,團隊認為從產業趨勢來看,有機會成為新一代的護國神山!
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#寬能隙半導體WBG #碳化矽SiC #氮化鎵GaN #功率器件 #5G通訊 #功率放大器PA #量子接面電晶體QJT #USB-PD #原子層沉積ALD
【SiCXGaN 卡位戰起跑!】
儘管目前 SiC 晶片成本仍較 IGBT 貴上 4~5 倍,然著眼於碳化矽 (SiC) 功率器件將受惠於全球交通電氣化轉型的不斷前行——從火車、有軌電車和無軌電車,到公共汽車、小汽車和電動汽車充電樁,微芯科技 (Microchip) 宣佈推出 SiC 功率模組套件,讓開發者無需再單獨採購功率模組和閘極驅動器 (包括用於成品生產的閘極驅動器),不必在檢驗功率模組後又花費時間開發自己的閘極驅動器,可大幅縮短數個月的開發週期。
另有鑑於目前氮化鎵 (GaN) 市場,功率電晶體和驅動 IC 通常是離散元件,使設計人員必須學習兩者間的協同作業以達到最佳性能,意法半導體 (ST) 推出全球首個單封裝整合矽基驅動晶片和 GaN 功率電晶體的解決方案;而恩智浦半導體 (NXP) 亦為 5G 射頻功率放大器 (PA) 於美國錢德勒啟用全新 6 吋 (150mm) 氮化鎵晶圓廠,針對氮化鎵技術進行深度最佳化,改善半導體中的電子陷阱 (electron trapping) 問題,藉由一流的線性度提供高效率和增益。
製程方面亦有所突破。派科森 (Picosun) 公司利用原子層沉積 (ALD) 薄膜塗層解決上述困境:將預清洗方法與高介電常數和大能隙絕緣子結合使用可降低介面陷阱密度。與此同時,為滿足寬能隙設備測試需求,量測大廠太克科技 (Tektronix) 推出新型參數測試系統,可為晶圓廠最大程度減少投資並最大化每小時的晶圓產出。寬能隙半導體也牽動變壓器產業的生態,為平面變壓器 (Planar Transformer) 帶來需求轉捩點。
延伸閱讀:
《SiC、GaN 初入成長期,創新方案輩出》
http://www.compotechasia.com/a/feature/2020/1112/46363.html
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