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【盤勢解析】 0929 無聊詹大盤分析與規劃圖
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各位戰友安安,我是 Boring。
今天的大盤表現不佳,一路開低走低,收盤收在 16855 點,大跌 325 點,成交量為 3234 億。
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這兩天的大盤在假日大盤分析以及昨晚的 PP 選股做功課教學中都有分析與規劃,大致條列如下:
1. 短線支撐可先看短頸線處,長線支撐看大頸線處,圖中白線與黃線
2. 上方壓力重重,需特別注意遇壓之後的狀況
3. 多方能否突破壓力,要看攻擊能否出量與外資現貨的連買
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回到今天的大盤,答案我想顯而易見,今天大盤直接開低跌破白線支撐,一路往下探求大頸線支撐,最後收在大頸線支撐處附近。
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這邊雖然勉強在支撐處收腳,但腳也不算長,短線上乖離過大有機會有短彈,可是整體格局依舊對多方不利。
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不利的部分有幾點:1. 均線幾乎全數下彎,2. 頭頭低的空方結構成型,3. 大量都在壓力位置。
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總的來說,短線即便有反彈,壓力會先看長黑中關 + 下彎 5MA 處,在還沒有站上雙短均 + 雙短均線翻揚之前,切勿掉以輕心
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再來看看籌碼,大盤籌碼呈現「調節」的格局,外資現貨再度大賣 300 多億,散戶小台也是萬口多單留倉,屬於空方籌碼的表態。
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今天以畫圖的方式做分析,戰友們可以邊看文邊搭配圖來學習,應該能更容易理解。
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今天大盤表現差,PP 選股多方策略 1723 中碳、2408 南亞科上漲;空方策略 6182 合晶、8016 矽創、6456 GIS 大跌。
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同時也有2部Youtube影片,追蹤數超過15萬的網紅豐富,也在其Youtube影片中提到,主持人:陳鳳馨 來賓:證期雙照分析師 翁偉捷 主題:台北股市盤前解析|美元升值資金出走 利率升修正電子價格 節目時間:週一至週五 7:00-9:00am 本集播出日期:2021.09.29 #陳鳳馨 #金融市場財經新聞即時評析 #台股盤前 翁偉捷分析師 (臉書) 官方粉絲團:期股...
矽晶格結構 在 優分析UAnalyze Facebook 的最佳解答
台積電(2330)漲價後 終端應用誰受傷最重?
台積電調漲晶片價格10-20%後,供應鏈中的IC設計廠承受毛利壓力外,富比士雜誌(Forbes)針對終端應用領域,來說明哪些受影響較大。
🚗汽車成本增加不大
1. 在汽車製造成本當中,晶片占比相對較小。
2. 2020年新車使用的半導體價值大約550美元,僅占2%,即使晶片都漲價20%,汽車成本也只增加約100美元。
3. 電動車需要的更貴的晶片,頂多再多兩倍,但即便如此,多增加的成本幅度仍很小,不超過1%。
📱📲手機將轉嫁給終端買家
1. 以iPhone 12為例,材料成本估計要370美元,螢幕、電池和機械組件之外,晶片約210美元。占定價829美元的手機占四分之一。
2. 台積電最先進製程據報漲價10%,支援的是蘋果、聯發科、高通和其他公司的智慧手機晶片,以蘋果來說,成本就要增加大約20美元。
3. 導致蘋果公司需要提高手機售價,才能維持原有利潤率,影響到的是手機買主。
📁資料中心伺服器晶片成本占最多
1. 一台售價7,500美元的伺服器裡,通常會有兩個CPU,總成本2,100美元,占28%;加上記憶體和其他組件,半導體共約有4,800美元,占64%。
2. 即使晶片價格只漲10%,也會使售價增加7%-8%。
3. 不過大多伺服器晶片供應商是英特爾、三星、SK海力士和美光,而非台積電。
4. 但較小的伺服器晶片供應商,如超微(AMD)和輝達(Nvidia),有許多晶片向台積電採購,受到的毛利衝擊會較深。
🖥IC設計廠影響最大
1. 驅動IC、微控制器、消費性IC等三類以成熟製程生產的IC設計廠壓力最大。
2. 像是驅動IC業者就面臨客戶面板廠不再照單全收,因晶圓代工報價上揚而調升的晶片報價。
3. 也可看出IC設計業者成本轉嫁給客戶的空間已到頂,毛利率難再有突破。
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晶圓代工廠簽長約保價保量 聯電(2303)預付保證金最特別
⚠️保價保量合約的風險
1. 內容是必須保證價格與下單數量,期間平均兩年、長則三年。
2. 保證的價格是簽約近期調漲後的報價,保證的數量則是即使之後況反轉,仍需按照合約還是必須下足訂單量。
3. 簽下能確保當下產能無虞、搭上需求熱潮,但後續市場反轉後跌價,就會面臨高價庫存壓力。
🔑晶圓代工廠中聯電較特別
1. 保價保量合約有助晶圓代工廠,降低2023年後可能面臨需求不再熱絡,但擴廠、擴產支出已投入的風險。
2. 聯電表示一直都是與客戶簽訂長約即定價、定量,只是產能供不應求下,客戶簽訂長約情況增多。
3. 且聯電南科12A廠P6廠是由大客戶群預付保證金,確保取得P6未來產能,對雙方都是保障,也顯示大客戶們看好未來晶圓代工產能仍很吃緊。
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晶圓代工全面漲價 矽智財力旺(3529)也是主要受惠者
🏆台積電漲價的大受惠者
1. 力旺收費是以每片晶圓價格為計價基礎,目前最大收益的驅動IC與電源管理IC等成熟製程客戶,都是在台積電投片為主。
2. 力旺也與台積電有長期合作關係而台積電這次成熟製程代工價漲幅高達二成,對力旺營收與獲利都有加乘效果。
3. 也因為此一利多讓股價近日大漲,頻創歷史天價。
🙌力旺營收結構
1. 授權金佔比32.2%,權利金佔比67.8%,權利金其實是主要收益來源。
2. 第2季營收中8吋晶圓貢獻權利金收入51.8%,而電源管理IC、感測器及車用晶片,將在未來持續貢獻8吋權利金。12吋晶圓權利金則占佔第2季營收48.2%,季減6.3%。
👀下半年展望
1. 下半年進入傳統旺季,預估12吋比重將達50%,且28奈米成熟製程也將持續貢獻成長。
2. 力旺的OLED DDI、ISP、WiFi 6、TWS、BMC等應用都已在28奈米投片,預期未來各類應用將逐步向28奈米製程投片,全球也積極擴建28奈米產能。
3. 加上力旺在各代工廠完成超過140個成熟製程28/22奈米的設計定案,未來將成為主要成長動能之一。
#力旺 #台積電 #聯電
矽晶格結構 在 Facebook 的精選貼文
8/31 大盤分析
台股今天開低震盪,美股大漲完全沒反應到台股身上,何故?主要是昨(週一)天台股大漲突破季線反壓,係由拉抬權值股(晶圓代工、金融、傳產龍頭)方式推升上去,屬於膨脹指數的結構,今天在權值股轉弱之下,加權指數當然就滑落下來。從大環境來看,美股在鮑爾放出和平鴿(鴿派言論)之後,股價就緩步走高,昨晚在蘋果股價大漲3%帶動下,科技類股NASDAQ指數創新高,可惜台股蘋果概念股始終沒有人氣,今天也沒見蘋果供應鏈表態,主要是近期台股走向以“籌碼”為依規的結構,籌碼鎖定的強勢股才是盤面焦點,大多數個股皆是無量盤旋,導致中期買盤較為觀望。
從類股走勢觀察,電子比重維持在5~6成之間,航運股跌破2成,但鋼鐵股崛起,傳產股轉由鋼鐵接棒維繫人氣,主因來自鐵礦砂價格下跌,而鋼品報價仍維持高檔,對鋼鐵股而言具有“利差益”效益,不過這只是短期現象,如果鐵礦砂價格持續滑落,則鋼品報價也會跟著下滑。回到電子族,今天台股雖然不強,但MOSFET族群卻有亮麗演出,主要是受到馬來西亞疫情影響,國際IDM(整合元件)大廠產能未恢復,使得MOSFET缺貨到明(2022)年中;不過,大多數電子股還是處於無量階段。整體分析,由於台股進入無量結構(成交量低於3000億元),短線強勢股的續航力不強,因此,選股宜從產業趨勢著手,半導體相關之晶圓代工、矽晶圓、設備、封測、部分具漲價效益之IC設計(如MOSFET等等)是選股方向。
矽晶格結構 在 豐富 Youtube 的最佳貼文
主持人:陳鳳馨
來賓:證期雙照分析師 翁偉捷
主題:台北股市盤前解析|美元升值資金出走 利率升修正電子價格
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本集播出日期:2021.09.29
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矽晶格結構 在 謝東穎整形外科 Youtube 的精選貼文
隆鼻重修完整介紹!哪種材質最難重修? 鼻重修機率?二次隆鼻恢復期?|依心唯美 謝東穎醫師
加註一下: 台灣主流的隆鼻醫師,其實重修率都遠低於20~30%這個比例,只要找到合格的鼻整形醫師,不用過度擔心,只是手術前的討論與準備需要特別謹慎 。像是我自己會透過藍圖式模擬來與客人溝通,可以大大減少重修風險,重修風險壓在2%以下。
根據統計
每4個人做鼻整形
就有1個必須做鼻重修😱
鼻重修的風險真的很高
今天謝醫師要來跟大家說明
造成鼻重修的各種因素
還有我如何針對不同的隆鼻手術
去做相應的重修手術
💡影片重點
00:00 搶先看
00:37 鼻重修機率
01:35 術後感染怎麼處理?
02:24 外觀不滿意如何重修
04:13 術後鼻型改變
05:20 鼻背重修常見問題
07:18 鼻重修不要用Goretex比較好?
07:53 跟Goretex相似的卡麥拉
08:15 自體肋骨難從鼻背拿出?
09:10 其他鼻微整材料
10:07 L型隆鼻和結構式隆鼻
10:56 結構式隆鼻重修是大工程
11:37 如何降低鼻重修風險?
12:58 術前模擬降低重修風險
15:24 問題時間
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矽晶格結構 在 Re: [問題] 矽晶片方向性- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
: 作者: bor0306 (博) 看板: comm_and_RF
: 標題: [問題] 矽晶片方向性
: 時間: Thu Sep 24 13:58:12 2009
: 想請問一下大大,
: 老師有問一個問題,
: 目前BJT和MOS用的矽晶片,他們是不是有各自常用的矽晶片種類呢?
: BJT常用方向(111)的P-TYPE矽晶片
: MOS常用方向(100)的P-TYPE的矽晶片???
: 想請問一下大大,這是為什麼呢???
: 或是有沒有相關的網站或網頁可以提供參考呢~
: 謝謝大家^^
怎麼這問題常常被提出來問,該不會是同個老師...^_^!
我們先來說說為何BJT要用(111)的做,而MOS要用(100)。
這部份主要是考慮到,在蝕刻與離子佈值時對元件特性的問題。
之所以BJT 製造於(111)wafer上,是因為過去使用擴散或離子佈值(Ion Implant)的
方式將 Emitter與Base layers垂直的將dopant參入。依此方法若使用(100) wafer時,
dopant會經由(100)面中的通道(channel) 加速擴散滲入,使得每層layer的深度不均,
(甚至有Emitter和Collector相連的現象),導致元件通通都死掉。
而(111)wafer從上往下看,晶體結構中沒有如(100)的channel,所以擴散或用ion
implant的dopant深度均勻且易控制,不過,現在用磊晶(epitaxy)後,可能就不同了。
再者,MOS製作於(100)wafer上是為了讓gate oxide 有較好的品質。若使用(111)wafer
由於表面矽的接腳較多支,而氧接上去後,表面或氧化層仍會殘留有許多懸鍵(dangling
bonds),做成元件後,這些地方則成了氧化態(oxide state)或是所謂的表面態(surface
state),載子一經過就被捉住,陷在裡面出不白,結果元件特性就變差了。
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◆ From: 203.66.222.12
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