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三星電子公佈半導體代工業務技術藍圖 3奈米可能優先用於自家晶片上
當三星推出基於 MBCFET 的 3nm 製程節點時，與7nm LPP相比，性能提高 35%，功耗降低 50%，面積減少 45% 。該公司曾宣布預計將在 2021 年使用 3nm 技術製造晶片，但現在已推遲到 2022 年末。
在此之前，三星代工廠的客戶預計將轉向 4LPE（4nm Low Power Early）和 4LPP（ 4nm Low Power Plus)用於他們的晶片，例如高通驍龍 895 可能基於 4nm 技術，然而，因三星製程良率不彰，外媒指高通驍龍895+ 將由台積電4 奈米。....
台積電的 2 nm 製程放棄使用多年的 FinFET，甚至也不用 GAAFET，而是採用 MBCFET 奈米片（nanosheet），被認為可大幅改進電路控制、降低漏電率
還是好消息
對於長期股東來說
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#本文不代表投資建議
【電晶體結構演進】 目前的FinFET 要往GAAFET和MBCFET 增加接觸面積以更好的控制但GAA跟MBC難度超高，最後還是要良率定勝負. ... <看更多>
mbcfet 在 [情報] 台積電2nm 工藝重大突破2023 年投入試 - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
台積電 2nm 工藝重大突破 2023 年投入試產
richard richard · 2020-11-17
這幾年，天字一號代工廠台積電在新工藝進展上簡直是開掛一般的存在，7nm 工藝全面普
及，5nm 工藝一路領先，3nm 工藝近在眼前，2nm 工藝也進展神速。根據最新報導，台積
電已經在 2nm 工藝上取得一項重大的內部突破，雖未披露細節，但是據此樂觀預計，
2nm 工藝有望在 2023 年下半年進行風險性試產，2024 年就能步入量產階段。
台積電還表示，2nm 的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時延續摩爾定律，繼續挺進
1nm 工藝的研發。台積電預計，蘋果、高通、NVIDIA、AMD 等客戶都有望率先採納其
2nm 工藝。
2nm 工藝上，台積電將放棄延續多年的 FinFET ( 鰭式場效應晶體管 )，甚至不使用三星
規劃在 3nm 工藝上使用的 GAAFET ( 環繞柵極場效應晶體管 )，也就是納米線 (
nanowire )，而是將其拓展成為“MBCFET”( 多橋通道場效應晶體管 )，也就是奈米片
( nanosheet )。
從 GAAFET 到 MBCFET，從奈米線到奈米片，可以視為從二維到三維的躍進，能夠大大改
進電路控制，降低漏電率。
當然，新工藝的成本越發會成為天文數字，三星已經在 5nm 工藝研發上已經投入了大約
4.8 億美元，3nm GAAFET 上會大大超過 5 億美元。
台積電很少披露具體工藝節點上的投入數字，但是大家可以放開去想像了……
https://tinyurl.com/y5jxrn77
十
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作者 goipait (GoGo) 看板 Gossiping
標題 [問卦] 有沒有彥州懶人包?
時間 Sat May 28 08:23:13 2016
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