【#士佳說 】張士佳:波動重策略
上星期五升穿30143,指數call一日賺過倍,晚上上精進課的朋友笑逐顏開,此時此刻,我同佢地講黎緊一定跌,即刻鴉雀無聲,無人發言,想不到昨日星期一就馬上上演這套回吐劇。
尋日既回吐只係第一集,第二集睇下今日上唔上得番30076,我唔識估,昨日港股收市,港期就颷二三百點,耐人尋味,我自己無補貨,只係昨早有食糊,沒想到收市後能升咁多,上次周四下跌,我有買call博,今次無,睇下點?
如果今日上唔番,早前公開講過個市狂升pattern就首次破壞了,太重貨overtrade的朋友應落d車先,而一直保持適當注碼的朋友,可等期指跌穿昨日和今日底位(暫時29348,學生們就記得用上堂教嘅精準EP,尤其是嗰幾個filters),先正式鳴金收兵,檢視形勢再行部署。如果唔跌穿,心雄好友可以繼續罩照戴、股照炒,再等下一次破壞pattern , 重覆再做,盡量食盡呢一潮。當然年紀大如我,心臟負荷不來,昨日再食些。死啦!如果你都唔知嚟緊升定跌喎,記住投資唔係估升跌,係主要用策略,貨幾時都可以揸沽到,進退係一定要根據你嘅自身情況同值博率而決定。
我近來運氣幾好,賺到一桶金,所以先食多些糊,目前係12月30日以來持貨最低水平,袋袋平安,留些資金在手,再出發重點打遊擊。
牽動恒指創年內新高的科網股,上得急,落得快, 科技指數失守萬點關,包括騰訊京東等ATMJ一樣,都係睇住大市祇不過升幅又比較大時,跌幅亦都係大噉解嗻,反而#772閱文在相對低位勁升10.5%,帶動媒體板塊造好,回一回再破頂,我打游擊。
講起傳媒板塊, 市場快手沽貨去抽快手, 焦點應該確定此股無疑,由於市場憧憬該股將快速獲納入恒生科指,勢吸引熱錢大手入飛。並留意到港股短視頻概念股#3700映客股價的大幅波動,破頂我短炒,真係好短架。
車股方面,韓國SK集團尋求與吉利設立氫能合資公司,SK可能會向該合資公司投資至多約1萬億韓元. 百度也可能加入這個項目。#175 吉利汽車創新高後陰燭。#2333 長城汽車基本面唔差都係陰燭,車股睇嚟都係要唞下氣。
噉當然整個板塊入邊都有嘢值得打遊擊嘅,好似我上星期五喺sun channel,講值得落注賭一賭嘅nkla call, 尋日升三倍, 正股都升兩成幾,呢啲咪值得打遊擊囉,嗱咪話事後講啊,事前一早話你知嘅,當日未升任你買架。
芯片股就有啲蠢蠢欲動,#981 中芯昨日就逆市造好,似乎內地加強擴展國產半導體產業的決心;全球汽車及手機製造商對晶片需求大,已出現...
↓↓↓↓點擊下圖,詳文講述↓↓↓
#SKYSIR #張士佳 27.1.2021
同時也有10000部Youtube影片,追蹤數超過2,910的網紅コバにゃんチャンネル,也在其Youtube影片中提到,...
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#科技新知 #MITTechnologyReview
🔎超穎透鏡:半導體晶片新製程科技🔎
光蝕刻是精密光學元件製造中,不可或缺的一環。密西根大學博士 Mao Ye 和同事開發出一項技術 - 利用超穎透鏡將光線聚焦成任意圖形,投射在微表面。
此技術的改良,除了有機會應用在光蝕刻領域、增快元件產出速度外,成本也較傳統的光罩蝕刻技術低廉;在操作上,更具備透鏡及元件可共用生產線的優點。未來,可望加惠利用光在表面雕刻特定圖案的製造商,亦可應用於各種便攜式成像系統和光電元器件。
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小弟不才,來這野人獻曝了
loading effect分兩種,跟斯斯不一樣,分別是marco loading 與micro loading。
Marco loading effect發生在晶圓曝露面積不同時,有不同的蝕刻率,一般文獻你會看到
叫open area ratio。當open area ratio越大時,代表光阻覆蓋區越小,以同樣蝕刻poly
silicon來說,open area ratio大的蝕刻率會較慢,對應的是EPD時間變長。
Micro loadind effect則是晶圓內部細微的差異,在圖案密集區,如一般說的density ar
ea或稱array area的蝕刻率會與periphery area不同,一般來說periphery area蝕刻率會
較快,EPD抓到之後,會再補足一定量over etch,確保array area也是有蝕刻開來。 再
微觀一點的是pitch的差異,同一片wafer上有不同pitch的圖案時,兩種pitch也會存在不
同的蝕刻率,這些都統稱micro loading。
當然,這是比較common的說法,在不同的tool與不同的gas ratio下,行為都不見得會相
同,甚至與調整壓力或是功率也都會有極大的反差,這些都必須實際上機看才知道結果,
沒有一以貫之的理論。頂多參考一下F/C ratio估算,大概是醬子。
抱歉,眼殘沒看到第二個問題
microtrench比較常發生在沒有stop layer且傾斜度較大的蝕刻,比方說shallow trench
isolation。由於sidewall slop比較傾斜,蝕刻ion會順著斜坡向下,造成坡底下的蝕刻
速率大於平面區,最終會看到—√的圖型,稱microtrench。除此之外,蝕刻時間較長,
易讓光阻帶有較高負電荷,也有同樣的情況。
Fence /facet 兩組一起來,多半是做dual damascene。Fence 顧名思義就是柵欄,在dua
l damascene就是hole上方的柵欄,形成原因...先跳過
facet指的是hole到trench平面間的斜坡,詳情請找谷哥要圖。
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